مشخصات

• لړۍ
  G3R™
• بسته
  Tube
• د برخې حالت
  Active
• د fet ډول
  N-Channel
• ټیکنالوژي
  SiCFET (Silicon Carbide)
• منبع ولتاژ (vdss) ته وچول
  1700 V
• اوسنی - دوامداره اوبه (id) @ 25°c
  61A (Tc)
• د چلولو ولتاژ (زیاته rds آن، لږ تر لږه rds آن)
  15V
• rds on (max) @ id، vgs
  58mOhm @ 40A, 15V
• vgs(th) (max) @ id
  2.7V @ 8mA
• د دروازې چارج (qg) (max) @ vgs
  182 nC @ 15 V
• vgs (زیاته)
  ±15V
• د داخلولو ظرفیت (ciss) (max) @ vds
  4523 pF @ 1000 V
• د فیټ ځانګړتیا
  -
• د بریښنا ضایع کول (ډیری)
  438W (Tc)
• عملیاتي حرارت
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• د نصب کولو ډول
  Through Hole
• د عرضه کوونکي وسیله بسته
  TO-247-3
• بسته / قضیه
  TO-247-3