مشخصات

• لړۍ
  HEXFET®
• بسته
  Tube
• د برخې حالت
  Obsolete
• د fet ډول
  N-Channel
• ټیکنالوژي
  MOSFET (Metal Oxide)
• منبع ولتاژ (vdss) ته وچول
  20 V
• اوسنی - دوامداره اوبه (id) @ 25°c
  60A (Tc)
• د چلولو ولتاژ (زیاته rds آن، لږ تر لږه rds آن)
  4.5V, 10V
• rds on (max) @ id، vgs
  8.4mOhm @ 15A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.55V @ 250µA
• د دروازې چارج (qg) (max) @ vgs
  14 nC @ 4.5 V
• vgs (زیاته)
  ±20V
• د داخلولو ظرفیت (ciss) (max) @ vds
  1190 pF @ 10 V
• د فیټ ځانګړتیا
  -
• د بریښنا ضایع کول (ډیری)
  48W (Tc)
• عملیاتي حرارت
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• د نصب کولو ډول
  Through Hole
• د عرضه کوونکي وسیله بسته
  IPAK (TO-251)
• بسته / قضیه
  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA