مشخصات

• لړۍ
  -
• بسته
  Tube
• د برخې حالت
  Active
• د fet ډول
  N-Channel
• ټیکنالوژي
  SiCFET (Silicon Carbide)
• منبع ولتاژ (vdss) ته وچول
  700 V
• اوسنی - دوامداره اوبه (id) @ 25°c
  25A (Tc)
• د چلولو ولتاژ (زیاته rds آن، لږ تر لږه rds آن)
  -
• rds on (max) @ id، vgs
  -
• vgs(th) (max) @ id
  -
• د دروازې چارج (qg) (max) @ vgs
  -
• vgs (زیاته)
  -
• د داخلولو ظرفیت (ciss) (max) @ vds
  -
• د فیټ ځانګړتیا
  -
• د بریښنا ضایع کول (ډیری)
  -
• عملیاتي حرارت
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• د نصب کولو ډول
  Surface Mount
• د عرضه کوونکي وسیله بسته
  D3Pak
• بسته / قضیه
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA