مشخصات

• لړۍ
  SIPMOS®
• بسته
  Bulk
• د برخې حالت
  Obsolete
• د fet ډول
  P-Channel
• ټیکنالوژي
  MOSFET (Metal Oxide)
• منبع ولتاژ (vdss) ته وچول
  60 V
• اوسنی - دوامداره اوبه (id) @ 25°c
  1.9A (Ta)
• د چلولو ولتاژ (زیاته rds آن، لږ تر لږه rds آن)
  10V
• rds on (max) @ id، vgs
  300mOhm @ 1.9A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 250µA
• د دروازې چارج (qg) (max) @ vgs
  14 nC @ 10 V
• vgs (زیاته)
  ±20V
• د داخلولو ظرفیت (ciss) (max) @ vds
  410 pF @ 25 V
• د فیټ ځانګړتیا
  -
• د بریښنا ضایع کول (ډیری)
  1.8W (Ta)
• عملیاتي حرارت
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• د نصب کولو ډول
  Surface Mount
• د عرضه کوونکي وسیله بسته
  PG-SOT223-4
• بسته / قضیه
  TO-261-4, TO-261AA