مشخصات

• لړۍ
  NexFET™
• بسته
  Bulk
• د برخې حالت
  Active
• د fet ډول
  N-Channel
• ټیکنالوژي
  MOSFET (Metal Oxide)
• منبع ولتاژ (vdss) ته وچول
  25 V
• اوسنی - دوامداره اوبه (id) @ 25°c
  22A (Ta), 113A (Tc)
• د چلولو ولتاژ (زیاته rds آن، لږ تر لږه rds آن)
  -
• rds on (max) @ id، vgs
  4.5mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.1V @ 250µA
• د دروازې چارج (qg) (max) @ vgs
  8.9 nC @ 4.5 V
• vgs (زیاته)
  +16V, -12V
• د داخلولو ظرفیت (ciss) (max) @ vds
  1300 pF @ 12.5 V
• د فیټ ځانګړتیا
  -
• د بریښنا ضایع کول (ډیری)
  3.1W (Ta)
• عملیاتي حرارت
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• د نصب کولو ډول
  Surface Mount
• د عرضه کوونکي وسیله بسته
  8-VSON-CLIP (5x6)
• بسته / قضیه
  8-PowerTDFN