مشخصات

• لړۍ
  HEXFET®
• بسته
  Bulk
• د برخې حالت
  Active
• د fet ډول
  P-Channel
• ټیکنالوژي
  MOSFET (Metal Oxide)
• منبع ولتاژ (vdss) ته وچول
  150 V
• اوسنی - دوامداره اوبه (id) @ 25°c
  2.2A (Ta)
• د چلولو ولتاژ (زیاته rds آن، لږ تر لږه rds آن)
  -
• rds on (max) @ id، vgs
  240mOhm @ 1.3A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  5V @ 250µA
• د دروازې چارج (qg) (max) @ vgs
  49 nC @ 10 V
• vgs (زیاته)
  ±20V
• د داخلولو ظرفیت (ciss) (max) @ vds
  1280 pF @ 25 V
• د فیټ ځانګړتیا
  -
• د بریښنا ضایع کول (ډیری)
  2.5W (Ta)
• عملیاتي حرارت
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• د نصب کولو ډول
  Surface Mount
• د عرضه کوونکي وسیله بسته
  8-SO
• بسته / قضیه
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)