مشخصات

• لړۍ
  HEXFET®
• بسته
  Tube
• د برخې حالت
  Active
• د fet ډول
  2 N-Channel (Dual)
• د فیټ ځانګړتیا
  Logic Level Gate
• منبع ولتاژ (vdss) ته وچول
  20V
• اوسنی - دوامداره اوبه (id) @ 25°c
  5.2A
• rds on (max) @ id، vgs
  50mOhm @ 2.6A, 4.5V
• vgs(th) (max) @ id
  700mV @ 250µA
• د دروازې چارج (qg) (max) @ vgs
  20nC @ 4.5V
• د داخلولو ظرفیت (ciss) (max) @ vds
  660pF @ 15V
• ځواک - اعظمي
  2W
• عملیاتي حرارت
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• د نصب کولو ډول
  Surface Mount
• بسته / قضیه
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• د عرضه کوونکي وسیله بسته
  8-SO