مشخصات

• لړۍ
  -
• بسته
  Bulk
• د برخې حالت
  Active
• چلول شوی ترتیب
  Half-Bridge
• د چینل ډول
  Independent
• د چلوونکو شمیر
  2
• د دروازې ډول
  IGBT, N-Channel MOSFET
• ولتاژ - عرضه
  10V ~ 20V
• منطق ولتاژ - vil, vih
  0.8V, 2.2 V
• اوسنی - لوړ محصول (سرچینه، سینک)
  200mA, 350mA
• د ننوت ډول
  Non-Inverting
• لوړ اړخ ولټاژ - اعظمي (بوټسټریپ)
  600 V
• د پورته کیدو / زوال وخت (ټایپ)
  150ns, 50ns
• عملیاتي حرارت
  -40°C ~ 125°C (TJ)
• د نصب کولو ډول
  Surface Mount
• بسته / قضیه
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• د عرضه کوونکي وسیله بسته
  8-SOIC