-
-
د فابریکې مستقیم له لارې ټیټ نرخ
په مستقیم ډول د بریښنایی فابریکې سره کار وکړئ ترڅو منځګړیتوب پرې کړئ. نوی اصل د ټیټ او تخفیف نرخ سره
-
خوندي او کیفیت اعتبار
د عالي محصول کیفیت لپاره د کیفیت بیمې سیسټم. په وخت، هر وخت د کیفیت اجزا چمتو کول.
-
له 15 ملیون څخه ډیر لیستونه
100+ غوره مشهور نړیوال تولید کونکي ، له 15 ملیون څخه ډیر موجودات. سټاک شتون لري کوم چې د تخفیف نرخ سره مستقیم پیرود لپاره ملاتړ کوي.
-
د پیرودونکي دوستانه خدمتونه
یو بند حل ستاسو ځانګړي اړتیاو ته شخصي شوی. په 12 ژبو ویب پاڼه کې ملاتړ، ډیر اسانتیا او چټک خدمتونه.
IRS26302DJTRPBF
جوړونکی
د محصول کټګوري
تفصیل
HALF BRIDGE BASED IGBT/MOSFET DR
د RFQ بریښنالیک: [email protected] or آنلاین پوښتنې کوي
مشخصات
-
لړۍ-
-
بستهBulk
-
د برخې حالتActive
-
چلول شوی ترتیبHalf-Bridge
-
د چینل ډول3-Phase
-
د چلوونکو شمیر6
-
د دروازې ډولIGBT, N-Channel MOSFET
-
ولتاژ - عرضه10V ~ 20V
-
منطق ولتاژ - vil, vih0.8V, 2.5V
-
اوسنی - لوړ محصول (سرچینه، سینک)200mA, 350mA
-
د ننوت ډولNon-Inverting
-
لوړ اړخ ولټاژ - اعظمي (بوټسټریپ)600 V
-
د پورته کیدو / زوال وخت (ټایپ)125ns, 50ns
-
عملیاتي حرارت-40°C ~ 125°C (TA)
-
د نصب کولو ډولSurface Mount
-
بسته / قضیه44-LCC (J-Lead), 32 Leads
-
د عرضه کوونکي وسیله بسته44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
