NTMS5835NLR2G

NTMS5835NLR2G

جوړونکی

Rochester Electronics

د محصول کټګوري

ټرانزیسټرونه - fets، mosfets - واحد

تفصیل

MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC

مشخصات

  • لړۍ
    -
  • بسته
    Bulk
  • د برخې حالت
    Obsolete
  • د fet ډول
    N-Channel
  • ټیکنالوژي
    MOSFET (Metal Oxide)
  • منبع ولتاژ (vdss) ته وچول
    40 V
  • اوسنی - دوامداره اوبه (id) @ 25°c
    9.2A (Ta)
  • د چلولو ولتاژ (زیاته rds آن، لږ تر لږه rds آن)
    4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id، vgs
    10mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3V @ 250µA
  • د دروازې چارج (qg) (max) @ vgs
    50 nC @ 10 V
  • vgs (زیاته)
    ±20V
  • د داخلولو ظرفیت (ciss) (max) @ vds
    2.115 pF @ 20 V
  • د فیټ ځانګړتیا
    -
  • د بریښنا ضایع کول (ډیری)
    1.5W (Ta)
  • عملیاتي حرارت
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • د نصب کولو ډول
    Surface Mount
  • د عرضه کوونکي وسیله بسته
    8-SOIC
  • بسته / قضیه
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

NTMS5835NLR2G د نرخ غوښتنه وکړئ

په ګدام کښي 35435
مقدار:
د واحد قیمت (د حوالې قیمت):
0.29000
د هدف قیمت:
ټول:0.29000

ډیټاشیټ