SI4922BDY-T1-GE3

SI4922BDY-T1-GE3

جوړونکی

Vishay / Siliconix

د محصول کټګوري

ټرانزیسټرونه - fets، mosfets - arrays

تفصیل

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

مشخصات

  • لړۍ
    TrenchFET®
  • بسته
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • د برخې حالت
    Active
  • د fet ډول
    2 N-Channel (Dual)
  • د فیټ ځانګړتیا
    Standard
  • منبع ولتاژ (vdss) ته وچول
    30V
  • اوسنی - دوامداره اوبه (id) @ 25°c
    8A
  • rds on (max) @ id، vgs
    16mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    1.8V @ 250µA
  • د دروازې چارج (qg) (max) @ vgs
    62nC @ 10V
  • د داخلولو ظرفیت (ciss) (max) @ vds
    2070pF @ 15V
  • ځواک - اعظمي
    3.1W
  • عملیاتي حرارت
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • د نصب کولو ډول
    Surface Mount
  • بسته / قضیه
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • د عرضه کوونکي وسیله بسته
    8-SO

SI4922BDY-T1-GE3 د نرخ غوښتنه وکړئ

په ګدام کښي 12520
مقدار:
د واحد قیمت (د حوالې قیمت):
1.72000
د هدف قیمت:
ټول:1.72000

ډیټاشیټ