SIA910EDJ-T1-GE3

SIA910EDJ-T1-GE3

جوړونکی

Vishay / Siliconix

د محصول کټګوري

ټرانزیسټرونه - fets، mosfets - arrays

تفصیل

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6

مشخصات

  • لړۍ
    TrenchFET®
  • بسته
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • د برخې حالت
    Active
  • د fet ډول
    2 N-Channel (Dual)
  • د فیټ ځانګړتیا
    Logic Level Gate
  • منبع ولتاژ (vdss) ته وچول
    12V
  • اوسنی - دوامداره اوبه (id) @ 25°c
    4.5A
  • rds on (max) @ id، vgs
    28mOhm @ 5.2A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    1V @ 250µA
  • د دروازې چارج (qg) (max) @ vgs
    16nC @ 8V
  • د داخلولو ظرفیت (ciss) (max) @ vds
    455pF @ 6V
  • ځواک - اعظمي
    7.8W
  • عملیاتي حرارت
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • د نصب کولو ډول
    Surface Mount
  • بسته / قضیه
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • د عرضه کوونکي وسیله بسته
    PowerPAK® SC-70-6 Dual

SIA910EDJ-T1-GE3 د نرخ غوښتنه وکړئ

په ګدام کښي 33142
مقدار:
د واحد قیمت (د حوالې قیمت):
0.62000
د هدف قیمت:
ټول:0.62000

ډیټاشیټ