SIS402DN-T1-GE3

SIS402DN-T1-GE3

جوړونکی

Vishay / Siliconix

د محصول کټګوري

ټرانزیسټرونه - fets، mosfets - واحد

تفصیل

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8

مشخصات

  • لړۍ
    TrenchFET®
  • بسته
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • د برخې حالت
    Active
  • د fet ډول
    N-Channel
  • ټیکنالوژي
    MOSFET (Metal Oxide)
  • منبع ولتاژ (vdss) ته وچول
    30 V
  • اوسنی - دوامداره اوبه (id) @ 25°c
    35A (Tc)
  • د چلولو ولتاژ (زیاته rds آن، لږ تر لږه rds آن)
    4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id، vgs
    6mOhm @ 19A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.2V @ 250µA
  • د دروازې چارج (qg) (max) @ vgs
    42 nC @ 10 V
  • vgs (زیاته)
    ±20V
  • د داخلولو ظرفیت (ciss) (max) @ vds
    1700 pF @ 15 V
  • د فیټ ځانګړتیا
    -
  • د بریښنا ضایع کول (ډیری)
    3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • عملیاتي حرارت
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • د نصب کولو ډول
    Surface Mount
  • د عرضه کوونکي وسیله بسته
    PowerPAK® 1212-8
  • بسته / قضیه
    PowerPAK® 1212-8

SIS402DN-T1-GE3 د نرخ غوښتنه وکړئ

په ګدام کښي 10918
مقدار:
د واحد قیمت (د حوالې قیمت):
1.98000
د هدف قیمت:
ټول:1.98000

ډیټاشیټ