مشخصات

• لړۍ
  Z-FET™
• بسته
  Bulk
• د برخې حالت
  Active
• د fet ډول
  2 N-Channel (Half Bridge)
• د فیټ ځانګړتیا
  Silicon Carbide (SiC)
• منبع ولتاژ (vdss) ته وچول
  1200V (1.2kV)
• اوسنی - دوامداره اوبه (id) @ 25°c
  423A (Tc)
• rds on (max) @ id، vgs
  5.7mOhm @ 300A, 20V
• vgs(th) (max) @ id
  2.3V @ 15mA (Typ)
• د دروازې چارج (qg) (max) @ vgs
  1025nC @ 20V
• د داخلولو ظرفیت (ciss) (max) @ vds
  11700pF @ 600V
• ځواک - اعظمي
  1660W
• عملیاتي حرارت
  150°C (TJ)
• د نصب کولو ډول
  Chassis Mount
• بسته / قضیه
  Module, Screw Terminals
• د عرضه کوونکي وسیله بسته
  Module